頁籤選單縮合
題 名 | 低於60毫伏特次臨界擺幅之負電容效應鰭式場效電晶體=Sub-60mV-Swing Negative-Capacitance FinFET |
---|---|
作 者 | 李愷信; 陳旻政; 林昌賢; 魏耘捷; | 書刊名 | 奈米通訊 |
卷 期 | 23:2 2016.06[民105.06] |
頁 次 | 頁34-37 |
關鍵詞 | 負電容; 二氧化鋯鉿; 負電容效應鰭式場效電晶體; Negative capacitance; HfZrO₂; NC-FinFETs; |
語 文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 本研究工作的目標為主要研究具備High-k 與鐵電性質之過渡金屬氧化物材料,透過控制材料成長條件、參雜濃度、薄膜厚度、退火機制和底層金屬材質等條件控制薄膜結構,研究其本身的鐵電性質,製作具有低矯頑力、高飽和電耦極矩之合適鐵電薄膜應用於鰭式電晶體上。除了HfZrO_2 薄膜成長條件之鐵電物理性質研究外,設計鐵電電容結構可用來直接觀察負電容效應,所以HfZrO_2 鐵電電容結構將仿造閘極結構來製備。使用矽晶圓當作基板,再利用NDL 成熟的半導體製程來完成內閘極(G_int) 結構製作( 清洗、IL 層控制、high-k 薄膜成長、閘極金屬電極製備、微影蝕刻),上閘極(G_top) 即是HfZrO_2O 鐵電電容。利用微影蝕刻技術可以製備出不同大小C_FE 和C_MOS,讓我們可以同時間去觀測電耦極矩區塊變化(Domain Switching) 與電壓放電之間的關係( 負電容效應之量測) 並進一步去量測分析其電容比與電壓放大效果之關係,以提供 體式通道結構製程整合與電 設計者。 |
英文摘要 | Study of the high-k transition metal oxide material thin film with ferroelectricity is the first priority in this project. Through controlling material growth condition such as doping concentration, thin film thickness, annealing temperature and seed metal layer materials, the structure of ferroelectric thin film could be well defined. Because the ferroelectricity is strongly dependent on thin film structure, we have an opportunity to design the ferroelectric thin film with low coercivity and high saturated dipole polarization for NC-FET application. In addition, the negative capacitance effect can be observed in the innovated capacitance device. The ferroelectric capacitance structure will be similar to the gate structure in NC-FET. By using NDL fabrication process line, we can make CFE and CMOS device with different capacitance value and observe the relationship between domain dipole switching and voltage amplification. |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。