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題名 | 70奈米變晶性砷化鎵高電子移動率電晶體微波積體電路技術製作之180-220 GHz放大器=180-220 GHz MMIC Amplifier Using 70-nm GaAs MHEMT Technology |
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作者 | 章朝盛; 陳河穆; 高瑞智; 王暉; 陳明堂; | 書刊名 | 奈米通訊 |
卷期 | 23:4 2016.12[民105.12] |
頁次 | 頁10-14 |
分類號 | 448.552 |
關鍵詞 | 單晶微波積體電路; 變晶性砷化鎵高電子移動率電晶體; 寬頻放大器; MMIC; GaAs mHEMT; Broadband Amplifier; |
語文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 在此篇論文中,我們使用 70奈米變晶性砷化鎵高電子移動率電晶體微波積體電路技術設計出涵蓋 180至 220 GHz頻段的放大器,這個使用五級共源架構的放大器,在晶圓針測情況下,自 173至 220 GHz可以提供超過 20 dB的增益,並於 188 GHz處量測到 32 dB的最大增益,飽和輸出功率可以達到 -1 dBm,1-dB增益壓縮點也可達到 -3 dBm。 |
英文摘要 | In this paper, we present an MMIC amplifier for the frequency range of 180 to 220 GHz. This amplifier is fabricated using 70-nm GaAs mHEMT technology. It is a 5-stage amplifier in common-source topology. On-wafer probing shows over 20 dB small-signal gain from 173 to 220 GHz with peak gain of 32 dB at 188 GHz. Saturation output power level of -1 dBm and 1-dB gain compression output power level of -3 dBm are achieved. |
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