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題 名 | 以90奈米CMOS實現之採用轉導提升雙推式架構的94/188 GHz雙頻帶壓控震盪器=A 94/188 GHz Dual-Band VCO with Gm-Boosted Push-Push Pair in 90nm CMOS |
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作 者 | 林妤靜; 林佑昇; 王建今; | 書刊名 | 奈米通訊 |
卷 期 | 23:3 2016.09[民105.09] |
頁 次 | 頁23-27 |
分類號 | 448.533 |
關鍵詞 | 壓控震盪器; LC源級退化; 轉導提升雙推式架構; CMOS; VCO; LC source-degeneration; Gm-boosted push-push pair; |
語 文 | 中文(Chinese) |