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題名 | 以熱裂解化學沉積法成長碳化矽磊晶薄膜其成長參數與特性之研究=The Study on the Growth Parameters and Characterization of SiC Thin Film Deposited by Thermal CVD Method |
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作者 | 李清源; 蔡藎芝; 張慈; 廖笙佑; 任樹森; 林玉時; 張翼; Lee, Ching-yuan; Tsay, Jinn-jy; Chang, Tsu; Liao, Sheng-yu; Lin, Yu-shih; Jen, Shuh-sen; Chang, Edward Yi; |
期刊 | 新新季刊 |
出版日期 | 20151000 |
卷期 | 43:4 2015.10[民104.10] |
頁次 | 頁200-207 |
分類號 | 448.533 |
語文 | chi |
關鍵詞 | 碳化矽; 化學氣相沉積法; 寬能隙; 磊晶; SiC; CVD; Wide bandgap; Epitaxy; |