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題名 | 陣列式電容耦合電漿輔助原子層沉積系統 |
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作者 | 卓文浩; 柯志忠; 林建寶; 魏健桓; 陳誌濠; 陳効義; 劉埃森; 彭韋智; 許嘉良; 范乃文; 劉柏亨; 余友軒; 陳峰志; | 書刊名 | 真空科技 |
卷期 | 28:3 2015.09[民104.09] |
頁次 | 頁5-9 |
分類號 | 448.552 |
關鍵詞 | 陣列式電容耦合電漿輔助原子層沉積系統; 陣列式電容耦合電漿; 原子層沉積技術; CCP-PEALD; ALD; |
語文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 本文將介紹陣列式電容耦合電漿輔助原子層沉積系統(CCP-PEALD)之設計與製作,包括腔體、加熱模組、氣阻環設計與製作以及氣體與電漿源控制,並以前驅物(MeCpPtMe_3)及還原劑(氧電漿)成長金屬白金薄膜,以不同基板溫度成長白金,其ALD成長區間為250-350℃,成長速率約為0.55Å/cycle,並藉由程式控制系統調整不同的氧電漿處理功率,觀察其成膜現象。 |
英文摘要 | Plasma enhance atomic layer deposition system with capacitively coupled plasma array was developed. Chamber, Heating module and pumping ring were design and fabricated as well as gas and plasma control system. The platinum films were deposited at various substrate temperatures. The ALD window of deposition temperature of platinum film ranges between 250℃ and 350℃ and the growth rate of platinum film was 0.55Å/cycle. |
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