查詢結果分析
來源資料
頁籤選單縮合
題名 | 單晶石墨烯成長模型與單相旋轉角之分析=Growth Model and Orientation Analysis of Single Crystal Graphene |
---|---|
作者 | 詹世豪; 朱彥霖; 陳嘉偉; 紀堡鐘; 陳昇暉; 郭倩丞; | 書刊名 | 真空科技 |
卷期 | 28:2 2015.06[民104.06] |
頁次 | 頁36-40 |
專輯 | 石墨烯薄膜材料特性及其相關製程技術 |
分類號 | 440.34 |
關鍵詞 | 石墨烯; 化學氣相沉積; 傅氏轉換; Graphene; Chemical vapor deposition; Fourier transformation; |
語文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 本研究利用化學氣相沉積系統,在高溫下成長單晶粒石墨烯於催化銅金屬上;我們推導出碳原子沉積速率,為一元二次方程式的加速度成長;在參數為甲烷0.5sccm及氫氣30sccm以及高溫1050度下之成長之石墨烯,其片電阻與光學穿透率為310Ω/與97.7%。除了推導出石墨烯之成長模型,我們在藍寶石基板上鍍製一層1μm厚的銅膜,並透過電化學電鍍增加其厚度至25μm,最後以機械力方式將銅箔從藍寶石基板上剝離下來,經過退火後可以在銅箔表面得到高指向性的單晶銅(111);利用高指向性的單晶銅(111)成長石墨烯,並在傅氏轉換下,證明將石墨烯單晶成長在銅(111)時為單一方向,而成長在多晶銅表面時為多方向性。 |
英文摘要 | In this study, graphene films have been synthesized on copper by using chemical vapor deposition (CVD). We derived a growth model of single crystal graphene is a quadratic equation. The sheet resistance of graphene was 310Ω/ and the optical transmittance was 97.7%. Not only derived the growth model of graphene crystals, but also proved the consistency orientation of graphene crystals grown on Cu(111) substrate by using Fourier Transformation method. |
本系統之摘要資訊系依該期刊論文摘要之資訊為主。