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題名 | 互補式金氧半導體電壓控制振盪器實現0.6V 10GHz負電阻基極可調技術=A 0.6V 10GHz CMOS VCO Using a Negative-Gm Back-Gate Tuned Technique |
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作 者 | 張智翔; 李瑜; 鄭乃禎; | 書刊名 | 電腦與通訊 |
卷期 | 150 2013.04[民102.04] |
頁次 | 頁19-27 |
專輯 | 低功耗電路設計技術專題 |
分類號 | 448.552 |
關鍵詞 | 累積模式; 壓控振盪器; 訊號雜訊比; 頭部空間; Accumulation-mode; Voltage-controlled oscillator; VCO; Signal-to-noise ratio; SNR; Headroom; |
語文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 電壓控制振盪器使用負電阻基極可變技術,不需額外的累積模式的可變電容器來做為調變方式,此種技術被實現在0.18微米互補式金氧半導體,進而達到低電壓,寬頻範圍以及高頻的操作設計。利用晶體本身的p-n接面電容以及可變化的負電阻,達到9.95GHz~11.05GHz可變頻率範圍,操作電壓為0.6-V,以及所消耗的功率為4.35mW,在中心頻率為11GHz,所量測到的相位雜訊為-110.4dBc/Hz @1MHz。 |
英文摘要 | Without an extra on-chip accumulation-mode MOS varactor, a VCO using a negative-transconductance back-gate tuned technique is demonstrated in a standard 0.18-μm CMOS process to achieve low-voltage, wide-range and high-frequency designs. Employing the varied p-n junction capacitance and the varied transconductance in the intrinsic-tuned regime, the VCO provides the tuning range of 9.95 to 11.05 GHz at a 0.6-V supply, and dissipates below 4.35 mW. At 11-GHz carrier frequency, the measured phase noise is -110.4 dBc/Hz at a 1-MHz offset. |
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