查詢結果分析
相關文獻
- 高科技臭氧製程氣體及殘氣洩漏防範研究
- 半導體用密封材料的開發現況
- 半導體用液狀密封材料
- SEMI S15簡介評估毒性及可燃性氣體偵測器安全基準
- 半導體業氣體偵測器佈點概念規劃
- 金屬-半導體-金屬行波式光偵測器
- High Temperature InAs Infrared Detector Based on Metal-Insulator-Semiconductor Structure
- GaAs Metal-Semiconductor-Metal Photodetectors (MSM-PD's) with AlGaAs Cap and Buffer Layers
- 臭氧分析計量與應用簡介
- 半導體廠毒氣偵測器原理介紹
頁籤選單縮合
題名 | 高科技臭氧製程氣體及殘氣洩漏防範研究 |
---|---|
作者 | 彭左臣; 陳俊瑜; 吳必鈞; | 書刊名 | 化工技術 |
卷期 | 22:1=250 2014.01[民103.01] |
頁次 | 頁80-96 |
專輯 | 高科技產業安全機制專輯 |
分類號 | 555.56 |
關鍵詞 | 半導體; 臭氧; 本質較安全設計; 密封材料; 偵測器; Ozone; |
語文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 隨著半導體技術精密的演進,在90~65奈米製程是採用Strained Si技術,45~28奈米階段是用High-K金屬閘極技術(HKMG),而22奈米以下一直到14奈米製程,則會轉至3D晶片FinFET技術,把系統產品做小,成本做低,降低耗電量,也是半導體矽晶圓產業目前在行動通訊應用趨勢;半導體產業對晶圓生產的精準度、穩定度與速度等條件要求更加嚴峻,對影響公司競爭力的品質與環安衛風險控管就顯得格外重要,因為它代表者公司的產品能順利出貨及營運能持續運作。 在這個目標下,通常量產工廠對於生產條件的管制,包括原料、設備條件、製程條件與環境條件等要求都非常嚴格,不容許任意變更,目的就是保持品質穩定及生產安全,伴隨而來就是環安衛的挑戰。 舉例,就安全角度以High-K製程使用更危險的製程原料,如MO(metal organic) source,不論在新廠或舊廠都必須針對製程應用之危害物質提出安全規格與使用條件,這就是技術持續發展必然遭遇的安全管理上挑戰。 在嚴峻挑戰下我們將以「晶圓生產製程氣體洩漏防範」為主題進行討論,縮小範圍在極具活性且一般狀況也存在於環境的臭氧(ozone)製程氣體為案例拋磚引玉,進行洩漏防範對策的討論,以本質較安全設計的角度提出較好的改善及管理的策略,以經濟有效的方法提升使用安全水準,保障作業場所內工作者與產品的安全。 防範對策達到兩個目標: 1. 降低臭氧製程氣體及廢氣洩漏機率。 2. 即使洩漏也不會汙染作業環境,有效避免造成工作者與產品傷害。 本專題之討論選擇以150mm、 200mm&300mm晶圓製造設備之臭氧應用於APCVD O3-TEOS及臭氧水在半導體清洗製程之臭氧洩漏案例為範圍,進行風險辨識與評估,再應用本質較安全設計策略進行臭氧製程氣體洩漏防範對策之建立,分別從本質較安全設計策略之強化、取代、減弱、限制影響、避免骨牌效應、防愚設計、狀態清晰、易於控制、軟體等對策,分別討論出消除或控制臭氧洩漏之潛在危害因子及對策產生,獲得改善對策與結論如下: 1. 應用「限制影響(limitation of effects)的本質較安全設計理念」,建議使用全氟O-ring及採用設備密封設計達到限制洩漏、反應失控等危害發生的機率或限制其影響範圍與程度,考量既有設備更換成本與零件老化風險,採取"Double Containment"設計。 2. 運用「避免骨牌效應(avoiding knock-on effect)」與「軟體(software)的本質較安全設計理念」選用適當臭氧偵測器為執行系統及環境偵測之"Dual Detector"設計。 3. 作業人員及硬體亦應建立適當管理對策,訂出高風險作業管理、作業人員訓練、元件生命週期及偵測器校正等對策,落實於正式文件中以避免無限制的成本節約而犧牲安全的本質。 臭氧洩漏防範案例討論,僅係半導體晶圓製造製程中之一部分,尚有其他製程用毒性或特殊化學品洩漏或微汙染防止,如Cl2、AsH3、NH4、BF3、PH3等,藉由此案例探討拋轉引玉發生共鳴,以臭氧洩漏案例的處理經驗進行風險辨識、風險評估及應用本質較安全設計之立論基礎進行對策設計。 |
本系統之摘要資訊系依該期刊論文摘要之資訊為主。