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題名 | 製備氮化銦奈米結構材料於GaN/Al₂O₃基板之研究=Study of InN Nanostructure Grown on GaN/Al₂O₃ Substrate |
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作者 | 陳維鈞; 郭守義; 賴芳儀; 林瑋婷; 蕭健男; | 書刊名 | 真空科技 |
卷期 | 25:3 2012.09[民101.09] |
頁次 | 頁9-14 |
分類號 | 440.34 |
關鍵詞 | 化學束磊晶系統; 氮化銦; XRD; TEM; |
語文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 本研究利用自組裝之超高真空化學束磊晶系統製備氮化銦(Indium Nitride, InN)奈米結構於(0001)藍寶石基材上,並以4-mm氮化鎵(Gallium Nitride, GaN)薄膜為緩衝層。實驗過程中,主要以調變不同V/III比流量並維持在500℃進行氮化銦磊晶材料成長,利用HRXRD、SEM與TEM分別觀察與分析氮化銦奈米結構之晶體結構特性與表面形貌,進而探討V/III比對於其結構之影響。由HRXRD實驗結果指出,該製程條件下所成長之InN奈米結構皆沿著GaN緩衝層成長,並以(0002)為高優選方向;另外於SEM表面形貌觀察中得知,由V/III~2.5流量比率條件下所成長之形貌為InN奈米柱;由V/III~0.75流量比率下得到的表面形貌為InN薄膜,其厚度約為1.7μm,其沉積速率約為0.85 μm/h;在TEM的結果中顯示,InN film/rods皆為磊晶結構,同時於晶體中存在著少數差排(Dislocation)與疊差(Stacking Fault),界面晶格影像中清楚的看見,InN與GaN無中介層的存在,且非常平整。根據本實驗結果得知,若能調整出最佳流量比率,則可快速且有效地成長出高品質之InN磊晶薄膜,並且應用在III-V族異質元件中。 |
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