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題名 | 探討混合奈米柱及半圓頂表面微結構對垂直型發光二極體光輻射場與光萃取效率的影響 |
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作者 | 王佑廷; 周延; 尹煜峰; 林妍辰; 黃建璋; | 書刊名 | 電子月刊 |
卷期 | 18:11=208 2012.11[民101.11] |
頁次 | 頁136-145 |
專輯 | 半導體光電技術 |
分類號 | 448.552 |
關鍵詞 | 發光二極體; 發光場型; 奈米柱; 表面微結構; 光萃取效率; |
語文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 對於以n型氮化鎵朝上的垂直式發光二極體而言,其具備了能藉由蝕刻較厚的n型氮化鎵以提升光萃取及調整發光場形的優點。在本研究中,我們採用了一種名為「二次表面圖案化」的製程方法,並探討了光線在各角度上藉由奈米柱與截面式微米圓頂結構的光繞射情形。此處我們並針對具有此混和式表面結構的垂直式發光二極體之光輸出增益,進行了理論與實驗上的探究。首先,研究結果顯示,當光線受到截面式微米圓頂結構的光柵效應影響,且與其弧形的側壁交互作用後,將會在離垂直出光方向的64度側向上造成最大的光輸出增益;另一方面,對於具備隨機分佈奈米柱結構的垂直式發光二極體來說,其光輸出增益則較近似於等向性分佈。對於同時具備上述二種結構的混合式結構而言,因存在於半導體內部的傳導模態可分別透過奈米柱或截面式微米圓頂被萃取出來,其光輸出的增益會約略等於分別具單一表面結構的垂直式發光二極體之光輸出增益的線性疊加。藉由多重的表面結構化,此研究成果提供了一個改善垂直式發光二極體的光輸出與調整發光場形的指導原則。 |
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