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題名 | 綠色奈秒雷射尖峰退火於三維非揮發性記憶體之應用 |
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作者姓名(中文) | 連佑中; 謝嘉民; 戴寶通; | 書刊名 | 電子月刊 |
卷期 | 18:3=200 2012.03[民101.03] |
頁次 | 頁136-148 |
專輯 | 半導體與光電製程設備專輯 |
分類號 | 448.552 |
關鍵詞 | 雷射尖峰退火; 雷射結晶; 非揮發性記憶體; |
語文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 近十年來,非晶矽退火技術在顯示器科技的需求之下大幅改進,不僅建立完善的結晶理論,雷射退火技術由超大側向成長逐漸進步到連續側向結晶,可以將退火後的晶粒增大並且獲得良好的均勻性。近來更可藉由連續波綠光雷射進一步得到長度大約二十微米的晶粒。另一方面而言,由於基礎材料的限制,閘極線寬的微縮已經達到瓶頸。傳統的熱退火製程,如爐管退火,快速熱處理,急遽熱退火已無法滿足未來主流CMOS的需求。因此,低熱雷射退火技術如雷射急遽熱退火和雷射熱退火被提出來由六十五奈米突破至十六奈米的技術節點。我們利用低熱預算雷射結晶及綠色奈秒雷射尖峰退火技術展示非揮發性記憶體,其具有三維化之應用潛力。 |
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