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來源資料
電光先鋒
18 2011.12[民100.12]
頁19-27
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題名
氮化鎵(GaN)功率元件技術發展現況
作者姓名(中文)
李傳英
;
書刊名
電光先鋒
卷期
18 2011.12[民100.12]
頁次
頁19-27
專輯
高功率元件及模組之發展現況與技術挑戰
分類號
448.533
關鍵詞
氮化鎵
;
功率元件
;
功率半導體
;
GaN
;
語文
中文(Chinese)
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