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| 題 名 | 以非真空製程製備Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ₂銅鎵二硫(CuGaS₂)化合物薄膜 |
|---|---|
| 作 者 | 宋碧雄; 林政揚; 陳伯宜; 楊立中; | 書刊名 | 電子月刊 |
| 卷 期 | 17:8=193 2011.08[民100.08] |
| 頁 次 | 頁177-191 |
| 分類號 | 468.1 |
| 關鍵詞 | 銅鎵二硫; 太陽能電池; 球磨法; 黃銅礦; 非真空; |
| 語 文 | 中文(Chinese) |
| 中文摘要 | 本文是研究太陽能電池光吸收材料銅鎵二硫(CuGaS2)薄膜之非真空(Non-vacuum)製程,其製程是利用球磨法(Ball Milling)來製作銅鎵二硫前驅物漿料(Ink),再以旋轉塗佈法(Spin Coating)將其漿料塗佈於基板上形成CuGaS2前驅層(Precursor)薄膜,所用的前驅物是由CuS和Ga2S3等兩種化合物混合所形成,且可獨立調整兩種前驅物成分比例,以獲得不同的Cu/Ga比,再置於RTP爐管內進行(400~800℃)快速退火處理,藉由高溫擴散,製備出具黃銅礦(Chalcopyrite)結構特性之CuGaS2薄膜,使用非真空製程製備吸收層可大幅降低成本。而CGS2薄膜會隨著Cu含量的增加,半高寬變窄,晶粒尺寸會隨之變大;XRD之特徵峰會隨Cu含量增加向高角度(2q)偏移。依Cu/Ga原子比將薄膜分為Cu-rich與Cu-poor兩種類型,利用X光繞射進行分析,結果顯示CuGaS2薄膜具有黃銅礦結構之結晶特性。本研究發展新方式製備CuGaS2前驅層,其特點是熱處理時間不需太長,且不需通入硒(Se)蒸氣或硒化氫(H2Se)等氣體,由實驗分析之結果,熱處理溫度650℃、持溫10分鐘可得到的黃銅礦(Chalcopyrite)結構之CuGaS2薄膜為最佳。 |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。