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題名 | 獨立雙閘極多晶矽奈米線場效電晶體之製作與分析=Fabrication and Characterization of Independent Double-gate Poly-Si Nanowire Transistors |
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作者姓名(中文) | 林哲民; 黃調元; 林鴻志; | 書刊名 | 奈米通訊 |
卷期 | 18:1 2011.03[民100.03] |
頁次 | 頁2-11 |
分類號 | 448.552 |
關鍵詞 | 獨立雙閘極; 多晶矽奈米線; 薄膜電晶體; 提早飽和現象; 位障; Independent double-gated; IDG; Polycrystal silicon; Poly-Si; Nanowire; NW; Thin-film transistor; Early-saturation effect barrier; |
語文 | 中文(Chinese) |