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來源資料
新新科技年刊
7 2011.01[民100.01]
頁178-185
相關文獻
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題 名
新一代氮化鋁銦/氮化鎵高電子遷移率電晶體之原理與未來應用=The Principle and Future Application of New Barrier AlInN/GaN HEMTs
作 者
何焱騰
;
涂欣元
;
任樹森
;
李清源
;
洪國洋
;
書刊名
新新科技年刊
卷 期
7 2011.01[民100.01]
頁 次
頁178-185
分類號
448.552
關鍵詞
氮化鎵
;
氮化鋁銦
;
高速電晶體
;
微波功率
;
GaN
;
AlInN
;
HEMT
;
RF power
;
語 文
中文(Chinese)
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