您的瀏覽器不支援或未開啟JavaScript功能,將無法正常使用本系統,請開啟瀏覽器JavaScript功能,以利系統順利執行。
返回
/NclService/
快速連結
跳到主要內容
:::
首頁
關於本站
網站導覽
聯絡我們
國家圖書館
English
開啟查詢結果分析
查詢資訊
期刊論文索引(找篇目)
期刊指南(找期刊)
近代 (1853-1979年) 港澳華文期刊索引
漢學中心典藏大陸期刊論文索引
中國文化研究論文目錄
期刊瀏覽
檢索歷程
期刊授權
出版機構
公佈欄
常見問題
軟體工具下載
:::
首頁
>
查詢資訊
>
期刊論文索引查詢
>
查詢結果
>
詳目列表
查詢結果分析
來源資料
新新科技年刊
7 2011.01[民100.01]
頁169-177
相關文獻
高導熱矽晶片成長氮化鎵磊晶技術之研究
氮化鎵功率元件研製與封測分析
具低溫成長氮化鎵覆蓋層之氮化鋁鎵/氮化鎵蕭基二極體紫外光偵測器
探討氮化鎵六角量子點埋入阻擋層之應變效應
氮化鎵系列之紫外光檢測器
氮化鎵緩衝層對氮化鎵磊晶膜品質之影響
Wurtzite結構之Al戓Ga[fec5]N的結構特性及能帶性質的模擬分析
氮化鋁銦鎵深紫外光發光二極體製作技術
利用Nano-pattern製作氮化鎵高電子遷移率電晶體
高功率密度射頻應用之氮化鎵高電子遷移率電晶體技術之研究
第11筆 /總和 17 筆
跳頁至
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
/ 17 筆
回查詢結果
頁籤選單縮合
基本資料
引用格式
國圖館藏目錄
全國期刊聯合目錄
勘誤回報
我要授權
匯出書目
題名
高導熱矽晶片成長氮化鎵磊晶技術之研究=The Study of GaN Epitaxy on High Thermal Conductive Si Substrate
作者姓名(中文)
何焱騰
;
任樹森
;
李清源
;
洪國洋
;
張翼
;
書刊名
新新科技年刊
卷期
7 2011.01[民100.01]
頁次
頁169-177
分類號
448.552
關鍵詞
有機氣相沉積
;
氮化鎵
;
電子遷移率
;
緩衝層
;
氮化鋁
;
氮化鋁鎵
;
MOCVD
;
GaN
;
Mobility
;
Buffer layer
;
AlN
;
AlGa
;
語文
中文(Chinese)
頁籤選單縮合
推文
引用網址
引用嵌入語法
Line
FB
Google bookmarks
本文的引用網址:
複製引用網址
本文的引用網址:
複製引用網址