查詢結果分析
來源資料
頁籤選單縮合
題 名 | 熱發射源共蒸鍍技術製備銅銦鎵硒(CIGS)太陽能電池 |
---|---|
作 者 | 蕭育仁; 謝嘉民; 薛丁仁; 沈昌宏; 葉祐名; 王建智; | 書刊名 | 電子月刊 |
卷 期 | 17:3=188 2011.03[民100.03] |
頁 次 | 頁88-97 |
專 輯 | 半導體與光電製程設備專輯 |
分類號 | 468.1 |
關鍵詞 | 共蒸鍍技術; CIGS太陽能; 無鎘緩衝層; Co-evaporation technique; GIGS solar cell; Cd-free buffer layer; |
語 文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 目前已進入第二代薄膜型太陽能電池(Generation II thin film solar cells)的主要目標為大幅度降低電池材料成本與高轉換效率,具有低原料需求、節省材料成本、重量輕、可大面積製造,甚至可撓曲等優點的CIGS太陽能電池,應運而生。國家奈米實驗室擁有多腔體濺鍍研發系統及高精準度蒸鍍系統,可以涵蓋大部分的CIGS太陽能電池製程,整合後可調整CIGS電池緩衝層能隙,以達高效率薄膜太陽能目標。NDL已進行無Cd汙染之緩衝層製作,以水浴化學浸泡方式製作ZnS來取代CdS。目前本實驗室緩衝層硫化鋅(ZnS)所得到的光電轉換達12.1%,異質結構CIGS薄膜太陽能電池具經濟效益與優化,其兼具成本及轉換效率的特性受到產業界量產的注目。NDL未來完成低成本薄膜太陽能電池的技術與平台建置,可降低學術界及產業界的研究資源。 |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。