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題 名 | CIGS太陽能電池--非鎘緩衝層材料及製程技術發展=CIGS Solar Cell-- The Development of Cd-Free Buffer Layer Materials and Process Technology |
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作 者 | 蔡智斌; 簡志宇; 魏士淵; 賴志煌; | 書刊名 | 科儀新知 |
卷 期 | 32:5=181 2011.04[民100.04] |
頁 次 | 頁5-12 |
專 輯 | 銅銦鎵硒薄膜太陽能電池專題 |
分類號 | 468.1 |
關鍵詞 | CIGS太陽能電池; 非鎘緩衝層; |
語 文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 摘要: 非鎘緩衝層的開發為發展 CIGS 太陽能電池重要的課題之一。目前較高效率的 CIGS 太陽能電池仍然以硫化鎘 (CdS) 作為緩衝層的主要材料,為減少鎘對環境的衝擊又能達到高光電轉化率,並符合產業化的需求,各界無不積極開發取代 CdS 緩衝層的材料及製程技術。緩衝層位於 CIGS 吸光層及 ZnO:Al 窗口層之間,與 CIGS 形成太陽能電池中重要的 p-n 接面。本文將介紹緩衝層於太陽能電池中的主要功用及其產業化時所面臨的關鍵挑戰,並詳述目前最有潛力的三種非鎘緩衝層材料:硫化鋅 (ZnS)、硫化銦 (In2S3) 及氧化鎂鋅 (Zn1−xMgxO) 在高效率太陽能電池中的發展現況,並對其相關的非真空如化學浴沉積法及真空如濺鍍、蒸鍍,原子層沉積法等製程技術進行探討。 |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。