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題 名 | 高能射線對光電二極體元件特性之影響=The Effect of High Energy Irradiation on Opto-electronic Diode |
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作 者 | 林宏彝; 吳東權; 李三保; | 書刊名 | 電信研究 |
卷 期 | 39:4 2009.08[民98.08] |
頁 次 | 頁475-490 |
分類號 | 448.59 |
關鍵詞 | 光電二極體; 高能射線對; |
語 文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 利用高能加馬射線(γ-ray)照射非晶矽薄膜/基板系統一定劑量之後,探討以此薄膜基板製作之蕭基二極體性能的變異情形,由於加馬射線會改變非晶矽薄膜材料之能態分佈。因此劑量的多寡是影響非晶矽薄膜元件特性的關鍵,如I-V、C-V和整流曲線,實驗結果顯示經過高能射線(0~1000KGy)照射過後,可以達到元件改質的效果,但是過多的劑量卻會導致元件性能的劣化。 |
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