頁籤選單縮合
題 名 | IC絕緣體層用低介電常數材料之發展趨勢=Development Trends of Low K Dielectrics |
---|---|
作 者 | 陳麗梅; 王朝仁; | 書刊名 | 化工資訊月刊 |
卷 期 | 13:4 1999.04[民88.04] |
頁 次 | 頁15-21 |
專 輯 | 電子/光學用化學品 |
分類號 | 448.552 |
關鍵詞 | IC元件; 低介電常數材料; |
語 文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 積體電路工業,基本上是由晶圓設計、晶圓製造、晶圓測試及晶圓封 裝等四大步驟所組合而成的高科技產業。我國半導體產業發展至今已有20年之 久,近年來更以高達30%的成長率成長,投入8吋晶圓的總投資額已超過新台 幣4,000億元,使台灣未來將有近20座8吋晶圓廠投入生產的行列。1997年有 多家IC大廠更宣佈在南部科學園區投入12 吋晶圓的建廠計畫。相信未來我國 半導體產值在公元2000年前,將佔世界總產值的7%,而在世界半導體業的舞 台也將由快速追隨者變為共同領導者,所以其周邊電子化學品的開發也成為不 可欠缺的一環。 |
英文摘要 | According to SIA roadmap, the improvement of future electronics substantially counts on a decrease in the device size that demands high packing density and multilevel interconnects on a single chip. However, as device dimensions shrink to less than 0.251m, RC coupling attending upon the increase in the number of wiring levels and a reduction in the wiring pitch becomes significant. The substitution of low k dielectrics for conventional silicon oxide is necessary to address this problem. In view of this trend, many worldwide material suppliers are all devoted to developing low k dielectrics for next generation IC process. |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。