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題名 | 不同界面層之N型高介電質常數電晶體之界面特性比較=The Investigation of Electrical Characteristics on Different Interfacial-Layer N-MOSFETs with High-k Dielectrics |
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作者 | 陳啟文; 賴信誠; 陳穎達; 黃厚智; 葉文冠; 陳育廷; | 書刊名 | 明新學報 |
卷期 | 35:2 2009.08[民98.08] |
頁次 | 頁11-17 |
分類號 | 448.552 |
關鍵詞 | 閘極漏穿遂電流; 高介電質常數材料; 界面層; Direct-tunneling; High-k dielectric; Interface layer; |
語文 | 中文(Chinese) |