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| 題 名 | 新穎溶膠-凝膠法應用於非揮發性奈米微晶粒記憶體元件=Novel Sol-Gel Derived Nonvolatile Nanocrystal Memory Devices |
|---|---|
| 作 者 | 蔡依蓁; 吳其昌; 劉品麟; 柯富祥; | 書刊名 | 科儀新知 |
| 卷 期 | 30:2=166 2008.10[民97.10] |
| 頁 次 | 頁21-27 |
| 專 輯 | 奈米元件技術專題 |
| 分類號 | 448.533 |
| 關鍵詞 | 溶膠-凝膠法; 非揮發性記憶體; 奈米微晶粒材料; 記憶體元件; |
| 語 文 | 中文(Chinese) |
| 中文摘要 | 本文所探討的內容係以經由溶膠-凝膠法配製的化學溶液,研究成長奈米微晶粒的機制。我們以四氯化鋯、四氯化鉿及四氯化矽為溶膠-凝膠溶液之前驅物,旋轉塗佈於晶圓上形成薄膜,經高溫退火後形成含有鋯及鉿之金屬矽氧化物。在本實驗中溫度效應及溶劑效應是影響奈米微晶粒形成的關鍵因素。此外,我們利用溶膠-凝膠法形成之奈米微晶粒材料運用於快閃式記憶體元件中作為記憶體元件之電荷捕陷層,並探討其電性表現。 |
| 英文摘要 | In this study, the formation mechanism of nanocrystals (NCs) from the sol-gel spin-coating method had been studied. The ZrCl4, HfCl4, and SiCl4 were used as the sol-gel precursors to form the hafnium and zirconium silicate after rapid thermal annealing at high temperature. We evaluated the impact of temperature and preparation solvent type for the formation of sol-gel derived nanocrystals. In addition, the performance of flash memory with the nanocrystal as the charge trapping layer was also demonstrated. |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。