查詢結果分析
來源資料
相關文獻
- 製備氮化銦奈米結構材料於GaN/Al₂O₃基板之研究
- 化學束磊晶系統成長氮化銦磊晶薄膜之製程研究
- 以超高真空化學束磊晶系統成長氮化銦薄膜對結構特性之研究
- InGnN/GaN多層量子井之顯微組織研究
- 氮化銦鎵單一量子井雷射元件的理論模擬
- 電子溢流對氮化銦鎵多量子井元件光學特性之影響
- Compositional Inhomogeneities in InGaN/GaN Quantum Wells Studied with High Resolution Transmission Electron Microscopy
- 藍光氮化銦鎵量子井雷射之電子溢流現象與電洞不均勻性探討
- 導電帶與價電帶井深比例對藍光氮化銦鎵量子井雷射載子分佈與光學特性的影響
- Growth and Characterization of InGan/GaN Multiple Quantum Well Light-Emitting Diodes
頁籤選單縮合
題名 | 製備氮化銦奈米結構材料於GaN/Al₂O₃基板之研究=Study of InN Nanostructure Grown on GaN/Al₂O₃ Substrate |
---|---|
作者 | 陳維鈞; 郭守義; 賴芳儀; 林瑋婷; 蕭健男; Chen, Wei-chun; Kuo, Shou-yi; Lai, Fang-i; Lin, Woei-tyng; Hsiao, Chien-nan; |
期刊 | 真空科技 |
出版日期 | 20120900 |
卷期 | 25:3 2012.09[民101.09] |
頁次 | 頁9-14 |
分類號 | 440.34 |
語文 | chi |
關鍵詞 | 化學束磊晶系統; 氮化銦; XRD; TEM; |
中文摘要 | 本研究利用自組裝之超高真空化學束磊晶系統製備氮化銦(Indium Nitride, InN)奈米結構於(0001)藍寶石基材上,並以4-mm氮化鎵(Gallium Nitride, GaN)薄膜為緩衝層。實驗過程中,主要以調變不同V/III比流量並維持在500℃進行氮化銦磊晶材料成長,利用HRXRD、SEM與TEM分別觀察與分析氮化銦奈米結構之晶體結構特性與表面形貌,進而探討V/III比對於其結構之影響。由HRXRD實驗結果指出,該製程條件下所成長之InN奈米結構皆沿著GaN緩衝層成長,並以(0002)為高優選方向;另外於SEM表面形貌觀察中得知,由V/III~2.5流量比率條件下所成長之形貌為InN奈米柱;由V/III~0.75流量比率下得到的表面形貌為InN薄膜,其厚度約為1.7μm,其沉積速率約為0.85 μm/h;在TEM的結果中顯示,InN film/rods皆為磊晶結構,同時於晶體中存在著少數差排(Dislocation)與疊差(Stacking Fault),界面晶格影像中清楚的看見,InN與GaN無中介層的存在,且非常平整。根據本實驗結果得知,若能調整出最佳流量比率,則可快速且有效地成長出高品質之InN磊晶薄膜,並且應用在III-V族異質元件中。 |
本系統之摘要資訊系依該期刊論文摘要之資訊為主。