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來源資料
電子月刊
13:10=147 2007.10[民96.10]
頁149-161
相關文獻
電荷汲引技術(Charge-Pumping Technique)應用於High-κ金氧半電晶體閘介電層內部邊緣缺陷縱深及能量分佈量測
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題 名
電荷汲引技術(Charge-Pumping Technique)應用於High-κ金氧半電晶體閘介電層內部邊緣缺陷縱深及能量分佈量測
作 者
呂君章
;
盧俊源
;
張廖貴術
;
書刊名
電子月刊
卷 期
13:10=147 2007.10[民96.10]
頁 次
頁149-161
專 輯
電子測試專輯
分類號
448.552
關鍵詞
高介電係數介電材料
;
界面陷阱
;
邊緣缺陷
;
電荷汲引測量
;
語 文
中文(Chinese)
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