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題名 | An InGaP/GaAs/InGaAs Heterojunction Bipolar Transistor with Step-Emitter Structure=具有步階射極結構之磷化銦鎵/砷化鎵/砷化銦鎵異質接面雙極性電晶體 |
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作者姓名(中文) | 蔡榮輝; | 書刊名 | 高雄師大學報. 自然科學與科技類 |
卷期 | 21 民95.12 |
頁次 | 頁37-54 |
分類號 | 448.552 |
關鍵詞 | 步階射極; 異質接面雙極性電晶體; 侷限效應; 補償電壓; 位障尖峰; Step-emitter; Heterojunction bipolar transistor; Confinement effect; Offset voltage; Potential spike; |
語文 | 英文(English) |