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| 題 名 | Analysis of Si/Ge/Si MOSFET by One Dimensional Schrödinger Equation=利用一維薛丁格方程式分析矽鍺金氧半場效電晶體特性 |
|---|---|
| 作 者 | 廖淑慧; | 書刊名 | 中州學報 |
| 卷 期 | 23 民95.06 |
| 頁 次 | 頁79-87 |
| 分類號 | 448.552 |
| 關鍵詞 | 應變; 能帶結構; 矽鍺; 薛丁格方程式; Strain; Band-structure; SiGe; Schrödinger equation; |
| 語 文 | 英文(English) |
| 中文摘要 | 在本文中透過理論的方式以及電學的角度,探討矽鍺雙異質結構金氧半場效電晶體的一些特性。首先利用薛丁格方程式解析p型半導體與氧化物層間電洞的壘增效應對元件所造成的影響。利用半導體元件模擬軟體ISE-TCAD,我們獲得價電帶中的三個最低特徵能帶以及對應的特徵波方程式。這三個最低特徵能帶分別是重電洞的基態、輕電洞的基態,以及重電洞的第一激發態。 |
| 英文摘要 | We present theoretical investigation of double heterostructure effects in metal-oxide-semiconductor field-effect transistor from an electrical point of view. In this work, we start by calculating of the Heterostructure MOSFET eigenwavefunctions and eigenenergies by one dimensional Schrodinger Equation. The resulting carrier density distribution, first three eigenfunctions and eigenenergies have been studied using the one-dimensional solver of Schrodinger equation. The device was designed and its electrical characteristics are analyzed using 2-D device simulator ISE-TCAD. |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。