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來源資料
光學工程
80 2002.12[民91.12]
頁31-38
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題 名
氫化物氣相磊晶成長法成長氮化鎵晶體=The Growth Mechanism of GaN Grown by Hydride Vapor Phase Epitaxy
作 者
劉海平
;
蔡政達
;
劉文岳
;
郭義德
;
許榮宗
;
陳引幹
;
書刊名
光學工程
卷 期
80 2002.12[民91.12]
頁 次
頁31-38
專 輯
半導體雷射
分類號
448.552
關鍵詞
氫化物氣相磊晶成長
;
磊晶側向成長
;
氮化鎵
;
HVPE
;
ELO
;
GaN
;
語 文
中文(Chinese)
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