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題 名 | 原子力顯微技術之奈米級蝕刻術初步探討=Nanometer Scale Lithography Using Atomic Force Microscopy |
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作 者 | 盧慧珊; 廖聖茹; 鍾明仁; | 書刊名 | 蘭陽學報 |
卷 期 | 4 2005.05[民94.05] |
頁 次 | 頁15-24 |
分類號 | 471.7 |
關鍵詞 | 大氣型掃描探針顯微鏡; 原子力顯微術; 蝕刻術; 奈米元件; Scanning probe microscope; Atomic force microscopy; Lithography; |
語 文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 本研究是利用NT-MDT公司所製造之Solver P47大氣型掃描探針顯微鏡(Scanning Probe Microscope, SPM)所以提供之原子力顯微術(Atomic Force Microscopy, AFM)功能,作奈米級之蝕刻術(Lithography)探討。AFM結合電位蝕刻術在矽晶片上產生陽極氧化達到奈米級之加工目的,加工的方式為在探針上加偏壓來達氧化的效果,並依照我們的需求製做出各種不同氧化幾何圖案,經由適當的電路設計呵一步製作出奈米級的電子元件。由於原子力顯微術具有高解析度的特性,所製作出來的氧化圖案可達奈米級的電子元件。由於原子力顯瞰術具有高解析度的特性,所製作出來的氧化圖案可達奈米級的尺度,藉由外加偏壓的改變、探針和樣品的作用力大小與方式以及時間上的控制,來影響氧化物成長之高度。 |
英文摘要 | In this research the Solver P47, an atmospheric type Scanning Probe Microscope (manufactured by NT-MDT Company) is employed to investigate the nanometer scale lithography using Atomic Force Microscopy. Two different working modes, namely the Contact mode and the Tapping mode, are used. By applying partial voltages on the probe, oxidization is initiated on a silicon chip. Different geometric shapes are investigated. As the AFM has a characteristic of high resolution, oxidized patterns in the nanometer scale can be obtained. By varying the applied partial voltages, the forces of pressing, and the contact times, optimal oxidization conditions are obtained. Hence, nanoscale electronic components might be manufactured when appropriate circuit designs are available. |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。