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題名 | 射頻電漿活化分子束磊晶成長之Ⅲ族--氮化物材料=GaN and AlGaN thin Films Grown by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy |
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作者 | 錢韋至; 黃健峻; 王永和; Chien, Wei-chih; Huang, Jian-jiun; Wang, Yeong-her; |
期刊 | 真空科技 |
出版日期 | 20040900 |
卷期 | 17:2 2004.09[民93.09] |
頁次 | 頁72-76 |
分類號 | 448.552 |
語文 | chi |
關鍵詞 | 電漿活化; 射頻分子束磊晶技術; 氮化物材料; |