查詢結果分析
來源資料
相關文獻
- 氮砷化銦量子井特性研究及其應用
- 氮砷化銦量子井及其在中紅外線雷射二極體之應用
- Fabrication processes for an AlGaAs/InGaP/AlGaAs Visible LD Grown by Liquid phase Epitaxy
- 擁有調變摻雜之應變超晶格的InGaN/GaN/AlGaN基雷射二極體
- 垂直共振腔面射型雷射二極體
- 我國雷射二極體與電射指示器產業
- 使用高功率數位DFB雷射二極體、單頻道傳輸方式及超外差技術之1550nm直接調變長距離有線電視AM-VSB光纖傳輸系統
- 二極體雷射激發式摻釹釩酸釔薄片雷射
- 光電半導體產業--發光二極體、雷射二極體
- 從應用的觀點淺談通訊用雷射二極體
頁籤選單縮合
題 名 | 氮砷化銦量子井及其在中紅外線雷射二極體之應用=Strained InAsN/InGaAs/InP Quantum Well Structures for Mid-Infrared Laser Applications |
---|---|
作 者 | 時定康; 蔣光浩; 林煜祥; 林浩雄; | 書刊名 | 真空科技 |
卷 期 | 16:3 2004.01[民93.01] |
頁 次 | 頁42-49 |
分類號 | 336.9 |
關鍵詞 | 三五族化合物半導體; 氮砷化銦量子井; 雷射二極體; |
語 文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 本文介紹一系列不同氮含量之應變型氮砷化銦量子井的成長、結構與光學特性。我們以具備高週波射頻電漿源之氣態源分子束磊晶法成長氮砷化鎵量子井,並分析其雙晶X光繞射圖譜、光激螢光頻譜、FESEM影像。最後我們將氮砷化銦量子井應用在雷射二極體的發光主動層上,初步製成的雷射二極體可在溫度260K達成2420mm的中紅外線振盪。 |
英文摘要 | In this study, we have investigated the growth, structural and optical properties of strained InAsN/InGaAs multiple-quantum-well structures on (100) InP substrates. All samples were grown by gassource molecular beam epitaxy. Nitrogen was added using a radio-frequency plasma source. Results from the DXRD, low-temperature photoluminescence, and cross-sectional FESEM measurements are presented and discussed. Finally, InAsN/ InGaAs four-quantum-well laser diode was successfully fabricated. The device achieves laser oscillation up to 260K with an emission wavelength of 2.42μm, and demonstrates the potential of InAsN alloy for mid-infrared applications. |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。