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來源資料
電子月刊
9:9=98 2003.09[民92.09]
頁120-125
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題名
閘極絕緣層經電漿氮化處理之NMOSFET在基板負偏壓操作下的加速劣化現象
作者姓名(中文)
簡昭欣
;
書刊名
電子月刊
卷期
9:9=98 2003.09[民92.09]
頁次
頁120-125
專輯
積體電路技術專輯
分類號
448.552
關鍵詞
半導體元件
;
介電層
;
氮化處理
;
元件劣化
;
語文
中文(Chinese)
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