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題 名 | 添加鉍硼玻璃氧化鋅的燒結性與電性=Sinterability and Electrical Properties of Zinc-Oxide with Bismuth-Boron Glass Frit |
---|---|
作 者 | 曾啟光; 林和龍; | 書刊名 | 材料科學 |
卷 期 | 30:1 1998.03[民87.03] |
頁 次 | 頁43-48 |
分類號 | 440.33 |
關鍵詞 | 氧化鋅; 鉍硼玻璃; 燒結性; 非歐姆特性; 崩潰電壓; 漏電流; Zinc oxide; Bi[feaf]O[feb0]-B[feaf]O[feb0]glass; Sinterability; Nonohmic properties; Breakdown voltage; Leakage current; |
語 文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 本研究主要在探討純氧化鋅及分別添加氧化鋁、氧化鋰之氧化鋅在加入鉍硼玻璃 後其燒結性、電性及微觀組織等變化,以做為低溫燒結氧化鋅可行性評估。結果顯示:純氧 化鋅在2wt%鉍硼玻璃添加、於1100℃燒結可達99%的相對密度。因鉍硼玻璃的揮發,過量 的添加並未能使ZnO提高密度。摻雜0.5mole%氧化鋁的氧化鋅因電子濃度增加,使漏電流 增大,晶粒也因Zn 減少而變小;相反的,摻雜氧化鋰的樣品則具高崩潰電壓及較大的晶 粒。各類樣品的非線性指數均在3到5之間。 |
英文摘要 | The purpose of this study is to investigate the sinterability, nonohmic properties and microstructure of ZnO ceramics after addition of Bi O –B O glass. The effect of dopants Al O and Li O on ZnO breakdown voltage and leakage current is also investigated Relative density of samples with 2 wt % bismuth-boron glass frit is 99% when sintered at 1100℃. Due to evaporation of bismuth-boron glass. The relative density is even decreased as Bi O –B O glass content increases. Higher donor and lower Zn interstitial concentration in Al O -doped ZnO results in large leakage current and small grain size. For Li O-doped ZnO, the result is just opposite to Al O -doped one. |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。