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題 名 | 半導體雷射之光場分佈與光侷限因子 |
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作 者 | 邱勝任; 蘇炎坤; 李玟良; | 書刊名 | 光學工程 |
卷 期 | 54 1996.06[民85.06] |
頁 次 | 頁5-13 |
分類號 | 336.9 |
關鍵詞 | 半導體雷射; 光場分佈; 光侷限因子; |
語 文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 在半導體雷射中,光波導由不同材料間之有效折射率構成,雷射二極體之光場分佈及光侷限因子在雷射結構之設計上相當重要。本文利用轉移矩陣法對不同架構半導體雷射中之光場分佈及光侷限因子作一詳細的分析探討。在雙異質接面雷射中光侷限因子隨限制層中鋁的含量增加而增加;而量子井中由於主動層厚度極薄而使得光侷限能力變差。在分開侷限架構則同時保有兩者的優點,而漸變折射率分開侷限架構更利用其內建電場來達到收集載子的目的。在侷限層厚度較小時,分開侷限架構有較佳的光侷限因子,但在較厚的侷限層下,漸變折射率分開侷限架構則具有較佳之光侷限因子。對於不架構及不同材料之半導體雷射其光場分佈也可用本法求得。 |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。