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題 名 | 類鑽碳膜矽基板上沉積氧化鋅薄膜對表面聲波元件之效用 |
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作 者 | 王瑤池; 謝觀峻; 徐明生; 黃文啟; 湯譯增; 洪茂峰; 莊陽德; | 書刊名 | 黃埔學報 |
卷 期 | 43 2002.09[民91.09] |
頁 次 | 頁407-418 |
分類號 | 448.533 |
關鍵詞 | 類鑽碳薄膜; 膜矽基板; 沉積氧化鋅薄膜; 表面聲波元件; |
語 文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 本研究是針對壓電薄膜在表面聲波濾波器元件上之應用,係利用射頻磁控濺鍍法(RF magnetron sputtering ) 濺射ZnO陶瓷靶將薄膜沉積於非晶質之類鑽碳被覆模矽基板上,在基板固定不加溫的情況下,進行濺鍍條件如射頻功率、工作壓力及O2/Ar流量比對薄膜物性及電性之探討。利用XRD、SEM、TEM、AFM及AES來分析薄膜的微結構,晶粒大小,表面輪廓圖及氧和鋅的組成比,由實驗結果顯示,隨著功率之增加、工作壓力的降低及氧分壓之減少,可促使薄膜成長速率提高,但在射頻功平方面的影響則有一臨界值,功率大於此臨界值時,薄膜的成長速率反而會降低。O2/Ar流量比不僅對沉積速率有影響外,亦對結晶性及表面型態有所關聯,當腔體在適當的氧氬比時,可以獲得一較緻密的結構,而且表面也較趨於平坦化,本實驗之最佳濺鍍參數條件:射頻功率為200W、工作壓力為3m torr、O2/Ar流量比為1/8及工作高度為35mm。最後於薄膜表面鍍製柵狀電極(IDTs),結果將類鑽碳薄膜運用於表面聲波之領域有助於特性的提升。 |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。