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題名 | 田口實驗計畫法簡介 |
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編 次 | 2 |
作者 | 丁志華; 游璨瑋; 戴寶通; 朝春光; | 書刊名 | 國科會國家毫微米元件實驗室通訊 |
卷期 | 8:4 2001.11[民90.11] |
頁次 | 頁22-37 |
分類號 | 494.5 |
關鍵詞 | 田口實驗計畫法; |
語文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 本文以旋轉塗佈法製備摻碳氧化矽低介電常數薄膜,並應用田口實驗計劃法,分別以介電常數和薄膜硬度作為評估製程的輸出回應,以探討各因子對薄膜特性的影響,並尋求最佳他的控制參數。以介電常數值為實驗之輸出回應的望小特性分析,顯示固化溫度、第三階段烘烤溫度、第二階段旋塗轉速、第二階段烘烤溫度為較重要的一半控制因子,而確認實驗確實減少介電常數之變異,使其最小化,達到製程最佳化的目標。以薄膜硬度為實驗之輸出回應的震大特性分析,顯示第二階段塗轉速、固化溫度、第一階段烘烤溫度、固化時間為影響薄膜硬度較重要的一半參數,然而,望大特性分析之確認實驗,並未改善薄膜硬度或其他膜性質,其主要原因可能為毫微壓痕系統未能作適當之校正,且未能有效避免基板效應(substrate effect)【由第二階段旋塗轉速為影響薄膜硬度最大的因子推測而來】,使量測之薄膜硬度誤差過大,無法作有效的統計分析。 |
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