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題名 | 氨氣電漿氮化處理對低介電常數HSQ薄膜/銅導線結構之電特性影響 |
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作者姓名(中文) | 劉柏村; 張鼎張; 施敏; | 書刊名 | 國科會國家毫微米元件實驗室通訊 |
卷期 | 8:1 2001.02[民90.02] |
頁次 | 頁7-12 |
分類號 | 448.552 |
關鍵詞 | 氨氣電漿; 氮化處理; 低介電常數; HSQ薄膜; |
語文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 本文將探討銅金屬連線與低介電常數絕緣層HSQ(Hydrogen Silsesquioxane)薄膜之間的交互影響。實驗結果發現,在高溫時(>425℃),銅很容易擴散至HSQ薄膜中,造成低介電特性嚴重劣化的現象,並且使得HSQ薄膜在高電場區的漏電流行為以一種Poole-Frenkel (P-F)為主的傳導機制來進行。在本研究中,提出利用氨氣體電漿的製程對HSQ薄膜進行輕微的氮化處理。此種處理步驟可以降低HSQ薄膜的漏電流並抑制P-F的傳導方式。除此之外,藉由二次離子質譜分析(SIMS),我們發現到氨氣電漿的處理也顯著地降低銅擴散進HSQ薄膜的行為。 |
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