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題名 | 重佈技術在晶圓級封裝的應用 |
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作者 | 戴豐成; 李世欽; | 書刊名 | 工業材料 |
卷期 | 170 2001.02[民90.02] |
頁次 | 頁137-142 |
分類號 | 448.552 |
關鍵詞 | 凸塊; 球下金屬層; 線路重佈技術; 背向濺鍍; Bump; Under bump metallurgy; UBM; Redistribution layer; RDL; BCB; Benzocyclobutene; Back-sputtering; |
語文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 凸塊覆晶是輕薄短小型電子元件的新式封裝技術主流,新的封裝廠以此切入封裝行列,而舊式的封裝廠也逐步投入此完全不同於傳統封裝的新製程。就凸塊製程而言,其主要包括球下金屬層(UBM:Under Bump Metallurgy)與錫凸塊(Solder Bump)兩部份:在UBM的進階製程裡則引進線路重佈技術(RDL:Redistribution Layer)以調整元件的I/O位置,進而提升元件的結構穩定性。本文主要介紹RDI的功用、介電層(BCB或PI)的特性、RDL的主要製程方式,最後舉一RDL實例以更詳細瞭解RDL技術。。 |
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