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題名 | Growth and Characterization of InGan/GaN Multiple Quantum Well Light-Emitting Diodes=氮化(銦)鎵多重量子井發光二極體之磊晶成長及其特性分析 |
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作者 | 許進恭; 紀國鐘; 蘇炎坤; 周銘俊; | 書刊名 | Journal of the Chinese Institute of Electrical Engineering |
卷期 | 7:3 2000.08[民89.08] |
頁次 | 頁219-225 |
分類號 | 448.552 |
關鍵詞 | 氮化銦鎵; 氮化鎵; 多重量子井; 發光二極體; InGaN; GaN; MQW; LED; |
語文 | 英文(English) |