查詢結果分析
來源資料
頁籤選單縮合
題名 | 鐵電材料的運作原理及其在記憶體上的應用=Principle of Ferroelectric Materials and Application in Memory Devices |
---|---|
作 者 | 洪儒生; 鄭惟元; | 書刊名 | 化工資訊月刊 |
卷期 | 14:2 2000.02[民89.02] |
頁次 | 頁23-29 |
專輯 | IC-CU專題 |
分類號 | 448.57 |
關鍵詞 | 鐵電材料; 記憶體; |
語文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 以鈣鈦礦結晶結構為主的鐵電材料,具有永久偏極以及偏極方向可由外部電場加 以控制的特性,故可應用在強介電記憶體的製作。由於材料本身有極高的介電係數,可取代 現有以矽氧化物為主體的記憶體,成為新一代高密度記憶體電容材料,再者永久偏極及偏極 的可轉向特性可做為新一代非揮發性記憶體。本文僅就鐵電材料的原理、應用現狀及發展做 一簡介。 |
英文摘要 | Perovskite structure based ferroelectrics such as PbTiO��, Pb (ZrxTii-x)0 �� and SrBi(Ta,Nb)O ��, are highly promising materials for memory use owing to their high dielectric constant and switchable polarization. Ferroelectric RAM, commonly referred to as PRAM, has been the focus of the memory of new generation. This article introduces the development of FRAM in terms of basic principle and engineering considerations when incorporating ferroelectric materials into the current IC processes. |
本系統之摘要資訊系依該期刊論文摘要之資訊為主。