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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
29:1 2001.03[民90.03]
- 頁 次:
頁9-14
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題 名:
High Brightness InGaN/GaN MQW Green Light Emitting Diodes with CART and DBR Structures:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
81 2003.03[民92.03]
- 頁 次:
頁18-26
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
7:3 2000.08[民89.08]
- 頁 次:
頁219-225
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
19:11=220 2013.11[民102.11]
- 頁 次:
頁62-76
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
17:3 2004.11[民93.11]
- 頁 次:
頁31-37
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題 名:
條狀藍寶石基板橫向磊晶之氮化銦鎵/氮化鎵多層量子井發光二極體:Lateral Epitaxial Patterned Sapphire InGaN/GaN MQW LEDs
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
17:2 2004.09[民93.09]
- 頁 次:
頁39-44
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題 名:
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題 名:
LED的P型電極對輸出光功率的影響:The Investigation of LED Output Power Affected by the P-electrode
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
17:2 2004.09[民93.09]
- 頁 次:
頁50-54
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
17:2 2004.09[民93.09]
- 頁 次:
頁55-61
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題 名:
800℃條件下成長p型氮化鋁銦鎵/氮化鎵雙重披覆層的氮化物發光二極體:Nitride-based LEDs with 800℃-grownp-AllnGaN/GaN Double Cap Layers
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
17:2 2004.09[民93.09]
- 頁 次:
頁62-66
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題 名:
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題 名:
Photovoltaic Physics of InGaN/GaN Multiple Quantum Wells:氮化銦鎵/氮化鎵多重量子井之光伏物理性質分析
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
121 2013.04[民102.04]
- 頁 次:
頁34-44
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
22:3 2015.09[民104.09]
- 頁 次:
頁13-17
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