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題 名:
8-14 μm Normal Incident Optical Transition in GaSb/InAs Superlattices:GaSb/InAs超晶格中8∼4μm正λ射光轉移之探討
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
28 1998.12[民87.12]
- 頁 次:
頁47-63
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題 名:
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- 題 名:
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編 次:
下
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
161 2000.05[民89.05]
- 頁 次:
頁128-135
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- 題 名:
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編 次:
上
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
160 2000.04[民89.04]
- 頁 次:
頁170-174
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題 名:
氮化鎵緩衝層對氮化鎵磊晶膜品質之影響:The Effect of GaN Buffer Layer on the Quality of GaN Epilayer
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13:3 2000.09[民89.09]
- 頁 次:
頁33-37
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題 名:
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題 名:
SiO[feaf]/SiON/SiO[feaf]/Si波導應用於0.98/1.55微米方向耦合器之最佳化設計與理論分析:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
2 1993.06[民82.06]
- 頁 次:
頁155-159
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
18:3 1995.05[民84.05]
- 頁 次:
頁445-449
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
12:3 1993.07[民82.07]
- 頁 次:
頁75-86
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
1:1 1986.09[民75.09]
- 頁 次:
頁137-140
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
11:3 2004.08[民93.08]
- 頁 次:
頁1-5
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題 名:
氮化物半導體發光二極體近況:The Recent Status of Nitride Semiconductor Light Emitting Diodes
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
16:3 2004.01[民93.01]
- 頁 次:
頁50-57
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
240 2011.06[民100.06]
- 頁 次:
頁(5)1-(5)19
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
20:4=225 2014.04[民103.04]
- 頁 次:
頁86-94
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
23:4 2010.12[民99.12]
- 頁 次:
頁35-40
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
32:5=181 2011.04[民100.04]
- 頁 次:
頁5-12
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題 名:
高導熱矽晶片成長氮化鎵磊晶技術之研究:The Study of GaN Epitaxy on High Thermal Conductive Si Substrate
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
7 2011.01[民100.01]
- 頁 次:
頁169-177
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
17:3=188 2011.03[民100.03]
- 頁 次:
頁88-97
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題 名:
CIGS薄膜太陽電池之緩衝層製造技術:The Buffer Layer Production Technique for CIGS Thin Film Solar Cell
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
292 2011.04[民100.04]
- 頁 次:
頁80-87
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
18:4=201 2012.04[民101.04]
- 頁 次:
頁134-145
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
31:1 2012.01[民101.01]
- 頁 次:
頁1-7
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
50 2009.12[民98.12]
- 頁 次:
頁9-19