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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
63 1998.09[民87.09]
- 頁 次:
頁42-47
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
25 1997.10[民86.10]
- 頁 次:
頁65-71
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題 名:
有機金屬氣相磊晶系統及技術簡介:Introduction to Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy System and Technology
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
24:2=130 2002.10[民91.10]
- 頁 次:
頁13-24
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題 名:
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
80 2002.12[民91.12]
- 頁 次:
頁16-22
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題 名:
氫化物氣相磊晶成長法成長氮化鎵晶體:The Growth Mechanism of GaN Grown by Hydride Vapor Phase Epitaxy
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
80 2002.12[民91.12]
- 頁 次:
頁31-38
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題 名:
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
25:3=137 2003.12[民92.12]
- 頁 次:
頁71-82
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
7:3 2000.08[民89.08]
- 頁 次:
頁195-201
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
7:3/4 民83.11
- 頁 次:
頁15-22
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
14 1995.06[民84.06]
- 頁 次:
頁409-413
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
2:7=16 1994.07[民83.07]
- 頁 次:
頁99-107
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題 名:
高品質氮化鎵厚膜之應用與製作方法:Application and the Manufacture Method of GaN Thick Film
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
229 民95.01
- 頁 次:
頁107-115
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題 名:
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題 名:
Epitaxial Growth of GaAs and AlGaAs by MOCVD:用有機金屬氣相磊晶法成長砷化鎵和砷化鋁鎵
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
3:1 1989.03[民78.03]
- 頁 次:
頁15-19
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題 名:
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
2:2 1988.09[民77.09]
- 頁 次:
頁5-8
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
125 1984.11[民73.11]
- 頁 次:
頁26-31
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
12 2009.08[民98.08]
- 頁 次:
頁93-96
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題 名:
A Study of High-Quality InAs-Strained Bulk Layer Growth on GaAs by MOCVD:高品質砷化銦在砷化鎵基板上成長之研究
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
2:3 民95.09
- 頁 次:
頁103-110
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題 名:
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
30:6 2008.12[民97.12]
- 頁 次:
頁613-624