查詢結果
檢索結果筆數(82)。 各著作權人授權國家圖書館,敬請洽詢 nclper@ncl.edu.tw
-
-
題 名:
δ摻雜電子元件與傳統電子元件特性之比較:Comparison of δ-Doping and Traditional Electronic Devices
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
14:1 1999.03[民88.03]
- 頁 次:
頁75-84
-
題 名:
-
-
題 名:
8-14 μm Normal Incident Optical Transition in GaSb/InAs Superlattices:GaSb/InAs超晶格中8∼4μm正λ射光轉移之探討
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
28 1998.12[民87.12]
- 頁 次:
頁47-63
-
題 名:
-
- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
79 1999.08[民88.08]
- 頁 次:
頁5-11
-
- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
12:3 1999.10[民88.10]
- 頁 次:
頁16-21
-
- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
Proceedings of the National Science Council : Part A, Physical Science and Engineering
- 卷 期:
22:3 1998.05[民87.05]
- 頁 次:
頁410-415
-
- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
22:6=208 1998.12[民87.12]
- 頁 次:
頁34-41
-
- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
9:6=44 1988.05[民77.05]
- 頁 次:
頁9-21
-
- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
9 2001.05[民90.05]
- 頁 次:
頁101-106
-
- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13:3 2000.09[民89.09]
- 頁 次:
頁12-18
-
-
題 名:
氮化鎵緩衝層對氮化鎵磊晶膜品質之影響:The Effect of GaN Buffer Layer on the Quality of GaN Epilayer
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13:3 2000.09[民89.09]
- 頁 次:
頁33-37
-
題 名:
-
-
題 名:
高亮度發光二極體:The Introduction of High Brightness Light Emitting Diodes (LEDs)
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13:2 2000.07[民89.07]
- 頁 次:
頁4-12
-
題 名:
-
- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13:2 2000.07[民89.07]
- 頁 次:
頁13-19
-
- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
8 2000.07[民89.07]
- 頁 次:
頁226-229
-
- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
20:2 1998.04[民87.04]
- 頁 次:
頁234-239
-
- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
20:2 1998.04[民87.04]
- 頁 次:
頁257-262
-
- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
54 1996.06[民85.06]
- 頁 次:
頁5-13
-
- 題 名:
-
編 次:
下
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
96 2002.06[民91.06]
- 頁 次:
頁23-26
-
-
題 名:
高亮度發光二極體元件發展與展望:The Perspective and Development of High Luminous LED
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
3:1 2002.04[民91.04]
- 頁 次:
頁1-5
-
題 名:
-
- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
15:3 2002.09[民91.09]
- 頁 次:
頁51-53
-
-
題 名:
High Brightness InGaN/GaN MQW Green Light Emitting Diodes with CART and DBR Structures:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
81 2003.03[民92.03]
- 頁 次:
頁18-26
-
題 名: