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檢索結果筆數(21)。 各著作權人授權國家圖書館,敬請洽詢 nclper@ncl.edu.tw
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以光激化學氣相沉積系統成長二氧化矽作為砷化鎵金氧半電容之絕緣層:GaAs MOS Capacitors with Photo-CVD SiO[feaf]Insulator Layers
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
17:3 2004.11[民93.11]
- 頁 次:
頁26-30
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
17:3 2004.11[民93.11]
- 頁 次:
頁31-37
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題 名:
分子束磊晶成長之磷氮化銦鎵之有序度效應研究:Investigation of Spontaneous Ordering Effect in GaInNP Grown by MBE
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
17:3 2004.11[民93.11]
- 頁 次:
頁38-41
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
17:3 2004.11[民93.11]
- 頁 次:
頁42-50
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
17:2 2004.09[民93.09]
- 頁 次:
頁12-18
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
17:2 2004.09[民93.09]
- 頁 次:
頁19-26
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題 名:
具有氮化銦鎵/氮化鎵自組式量子點的藍色發光二極體:InGaN/GaN Blue Light-emitting Diodes with Self-assembled Quantum Dots
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
17:2 2004.09[民93.09]
- 頁 次:
頁34-38
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題 名:
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題 名:
條狀藍寶石基板橫向磊晶之氮化銦鎵/氮化鎵多層量子井發光二極體:Lateral Epitaxial Patterned Sapphire InGaN/GaN MQW LEDs
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
17:2 2004.09[民93.09]
- 頁 次:
頁39-44
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題 名:
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題 名:
LED的P型電極對輸出光功率的影響:The Investigation of LED Output Power Affected by the P-electrode
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
17:2 2004.09[民93.09]
- 頁 次:
頁50-54
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
17:2 2004.09[民93.09]
- 頁 次:
頁55-61
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題 名:
800℃條件下成長p型氮化鋁銦鎵/氮化鎵雙重披覆層的氮化物發光二極體:Nitride-based LEDs with 800℃-grownp-AllnGaN/GaN Double Cap Layers
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
17:2 2004.09[民93.09]
- 頁 次:
頁62-66
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
9 2004.09[民93.09]
- 頁 次:
頁53-67
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
87 2004.09[民93.09]
- 頁 次:
頁49-54
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
67:3 2004.03[民93.03]
- 頁 次:
頁156-159+CA28
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題 名:
臺灣LED照明產業現況與展望:The Development of LED Illumination in Taiwan
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
21:2 2004.06[民93.06]
- 頁 次:
頁1-9
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
17:1 2004.03[民93.03]
- 頁 次:
頁57-61
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題 名:
Simulation of Violet-Blue InGaN Quantum-Well Lasers:紫藍光氮化銦鎵量子井雷射之模擬與分析
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
85 2004.03[民93.03]
- 頁 次:
頁47-58
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
85 2004.03[民93.03]
- 頁 次:
頁66-70
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
復刊8 民93.10
- 頁 次:
頁(A5)1-(A5)9
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
17:4 民93.12
- 頁 次:
頁225-228