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- 題 名:
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- 卷 期:
12:3 1999.10[民88.10]
- 頁 次:
頁16-21
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- 題 名:
- 作 者:
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- 卷 期:
13:3 2000.09[民89.09]
- 頁 次:
頁12-18
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- 題 名:
- 作 者:
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- 卷 期:
13:3 2000.09[民89.09]
- 頁 次:
頁26-32
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題 名:
氮化鎵緩衝層對氮化鎵磊晶膜品質之影響:The Effect of GaN Buffer Layer on the Quality of GaN Epilayer
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13:3 2000.09[民89.09]
- 頁 次:
頁33-37
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題 名:
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題 名:
多重能量氫離子佈植砷化鎵超快光電開關性能分析:Ultrafast Multi-Energy Hydrogen-Implanted GaAs Photoconductive Switches
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13:2 2000.07[民89.07]
- 頁 次:
頁29-40
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13:2 2000.07[民89.07]
- 頁 次:
頁41-46
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題 名:
砷化鎵金屬-半導體-金屬光接收器:GaAs Metal-Semiconductor-Metal Photodetectors
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
14:1 2001.04[民90.04]
- 頁 次:
頁41-45
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題 名:
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題 名:
氮化鎵雷射共振腔方向與其光增益之研究:Dependence of the Orientation of GaN-based Laser Cavity on the Optical Gain
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
14:3 2001.10[民90.10]
- 頁 次:
頁39-44
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
15:3 2002.09[民91.09]
- 頁 次:
頁51-53
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題 名:
分子束磊晶成長氮化鎵奈米柱於矽(111)基板:GaN Nanorods Grown on Si(111) Substrate by Molecular-beam Epitaxy
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
16:2 2003.09[民92.09]
- 頁 次:
頁17-23
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題 名:
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題 名:
銅/金與磷化銦鎵之蕭特基接觸特性與檢光器:The Characteristic of Cu/Au Schottky Contacts to InGaP and Photodetectors
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
15:2 2002.07[民91.07]
- 頁 次:
頁17-26
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
7:3/4 民83.11
- 頁 次:
頁15-22
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
8:3/4 民84.12
- 頁 次:
頁25-34
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
1:3/4 民77.11
- 頁 次:
頁32-38
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題 名:
奈米多孔隙氮化鎵結構應用於高效率氮化銦鎵發光元件:High Efficiency InGaN Optoelectronic Devices with Nanoporous GaN Structures
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
28:1 2015.03[民104.03]
- 頁 次:
頁33-40
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
24:3 2011.09[民100.09]
- 頁 次:
頁33-41
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題 名:
GaN-Based LEDs with Air Voids Prepared by One-Step MOCVD Growth:利用單一步驟金屬有機化學沉積方式透過氣縫方式製備氮化鎵基底之發光二極體
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
24:3 2011.09[民100.09]
- 頁 次:
頁42-49
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
24:3 2011.09[民100.09]
- 頁 次:
頁60-64
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
26:3 2013.09[民102.09]
- 頁 次:
頁17-26
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
26:3 2013.09[民102.09]
- 頁 次:
頁32-39