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- 題 名:
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- 卷 期:
197 1999.08[民88.08]
- 頁 次:
頁154-161
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
63 1998.09[民87.09]
- 頁 次:
頁42-47
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
55 1996.09[民85.09]
- 頁 次:
頁18-23
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
80 2002.12[民91.12]
- 頁 次:
頁16-22
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題 名:
氫化物氣相磊晶成長法成長氮化鎵晶體:The Growth Mechanism of GaN Grown by Hydride Vapor Phase Epitaxy
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
80 2002.12[民91.12]
- 頁 次:
頁31-38
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題 名:
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題 名:
非金屬基板異質磊晶鑽石膜製程技術現況:A Review of Heteroepitaxial Diamond Growth on Non-metal Substrates
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
257 2004.08[民93.08]
- 頁 次:
頁102-110
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
399 2016.06[民105.06]
- 頁 次:
頁83-96
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
42:3=488 2016.03[民105.03]
- 頁 次:
頁70-83
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
376 2014.07[民103.07]
- 頁 次:
頁113-122
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
350 2012.05[民101.05]
- 頁 次:
頁43-58
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
278 2011.09[民100.09]
- 頁 次:
頁44-50
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題 名:
MOCVD反應室內基板旋轉對流場之影響研究:Effect of Substrate Rotation on Flow Field Distribution in MOCVD Reactor
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
338 2011.05[民100.05]
- 頁 次:
頁154-160
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
326 2010.05[民99.05]
- 頁 次:
頁96-102
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
103 2008.10[民97.10]
- 頁 次:
頁22-29
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題 名:
MOCVD磊晶製程參數系統優化技術:Optimization through MOCVD CyberEpi Technology
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
435 2019.06[民108.06]
- 頁 次:
頁41-46
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題 名:
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題 名:
CVD磊晶物理模型系統分析技術:CVD Analysis Technology for Epitaxy Physical Model System
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
423 2018.06[民107.06]
- 頁 次:
頁31-39
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題 名:
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- 題 名:
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- 書刊名:
- 卷 期:
459 2021.06[民110.06]
- 頁 次:
頁9-15