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題 名:
8-14 μm Normal Incident Optical Transition in GaSb/InAs Superlattices:GaSb/InAs超晶格中8∼4μm正λ射光轉移之探討
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
28 1998.12[民87.12]
- 頁 次:
頁47-63
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題 名:
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- 題 名:
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編 次:
下
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
161 2000.05[民89.05]
- 頁 次:
頁128-135
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- 題 名:
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編 次:
上
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
160 2000.04[民89.04]
- 頁 次:
頁170-174
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題 名:
氮化鎵緩衝層對氮化鎵磊晶膜品質之影響:The Effect of GaN Buffer Layer on the Quality of GaN Epilayer
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13:3 2000.09[民89.09]
- 頁 次:
頁33-37
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題 名:
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題 名:
SiO[feaf]/SiON/SiO[feaf]/Si波導應用於0.98/1.55微米方向耦合器之最佳化設計與理論分析:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
2 1993.06[民82.06]
- 頁 次:
頁155-159
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
18:3 1995.05[民84.05]
- 頁 次:
頁445-449
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
11:3 2004.08[民93.08]
- 頁 次:
頁1-5
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題 名:
氮化物半導體發光二極體近況:The Recent Status of Nitride Semiconductor Light Emitting Diodes
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
16:3 2004.01[民93.01]
- 頁 次:
頁50-57
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
23:4 2010.12[民99.12]
- 頁 次:
頁35-40
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題 名:
高導熱矽晶片成長氮化鎵磊晶技術之研究:The Study of GaN Epitaxy on High Thermal Conductive Si Substrate
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
7 2011.01[民100.01]
- 頁 次:
頁169-177
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
15:5=166 2009.05[民98.05]
- 頁 次:
頁114-127
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題 名:
具有緩衝層之氮化矽覆蓋形變矽通道(Strained Si channel)互補式金氧半(CMOS)元件之特性影響與相關可靠度分析:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13:9=146 2007.09[民96.09]
- 頁 次:
頁152-161
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
25:1 2018.03[民107.03]
- 頁 次:
頁9-16