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奈米級先進金屬氧化半導體(MOS)元件的有效通道導電性:The Effective Channel Conductance of Nano MOS Devices
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
35:1 2002.03[民91.03]
- 頁 次:
頁1-8
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
20 民87.05
- 頁 次:
頁205-211
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
42:1 2016.02[民105.02]
- 頁 次:
頁9-17
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題 名:
次臨界電壓之標準元件庫與設計方法:A Sub-Threshold Voltage Standard Cell Library and Design Methodology
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
140 2011.08[民100.08]
- 頁 次:
頁37-43
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題 名:
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題 名:
Electrical Characteristics Analysis with 3-D Simulation on FinFET:以三維電腦模擬分析鰭形場效電晶體之電性
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
18 2010.12[民99.12]
- 頁 次:
頁163-173
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
35:1 2010.05[民99.05]
- 頁 次:
頁39-49
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
6 2010.03[民99.03]
- 頁 次:
頁65-73
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
16:9=182 2010.09[民99.09]
- 頁 次:
頁100-111
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
22 民94.08
- 頁 次:
頁175-186
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13:10=147 2007.10[民96.10]
- 頁 次:
頁182-192