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題 名:
奈米級先進金屬氧化半導體(MOS)元件的有效通道導電性:The Effective Channel Conductance of Nano MOS Devices
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
35:1 2002.03[民91.03]
- 頁 次:
頁1-8
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題 名:
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題 名:
嵌入式快閃記憶體性能之改善:Performance Improvement of Embedded Flash Memory
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
35:1 2002.03[民91.03]
- 頁 次:
頁9-16
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題 名:
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題 名:
ISE TCAD軟體於PMOS奈米元件製程之模擬應用:Nano-PMOS Process Simulation by Using ISE TCAD Tools
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
35:1 2002.03[民91.03]
- 頁 次:
頁17-25
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
35:1 2002.03[民91.03]
- 頁 次:
頁27-33
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題 名:
CESL Deposition Enhancing Performance of N/pMOSFETs under 45-NM Process Manufacture:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
18:6 2011.12[民100.12]
- 頁 次:
頁285-290
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題 名:
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題 名:
Temperature Dependence of Substrate Currents of MOSFETs Under Different Drain and Gate Biases:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
34:3 2011.04[民100.04]
- 頁 次:
頁441-448
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題 名:
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題 名:
On the Reverse Short-Channel Effect and Threshold Voltage Roll-Off Controls for 90 nm Node MOSFETs:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
30:5 2007.07[民96.07]
- 頁 次:
頁847-853
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題 名: