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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
Proceedings of the National Science Council : Part A, Physical Science and Engineering
- 卷 期:
22:3 1998.05[民87.05]
- 頁 次:
頁425-430
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題 名:
Doped-Channel SiGe Heterostructure Field-Effect Transistor:矽鍺異質結構高平面通道摻雜場效電晶體
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
14:4 2001.12[民90.12]
- 頁 次:
頁32-37
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13:3 2000.09[民89.09]
- 頁 次:
頁4-11
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
16:4 2004.04[民93.04]
- 頁 次:
頁36-42
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
17:3 2004.11[民93.11]
- 頁 次:
頁21-25
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
24:1 2011.03[民100.03]
- 頁 次:
頁32-37
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
18:3 民94.12
- 頁 次:
頁34-36
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題 名:
A Low Leakage Current in SiGe Hetro-junction FET Using by ICP Dry Etching Process:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
18:3 民94.12
- 頁 次:
頁37-41
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題 名:
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題 名:
矽鍺雙通道元件電洞侷限能力之探討:Hole Confinement in Double-Channel SiGe PMOSFET
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
20 2007.11[民96.11]
- 頁 次:
頁35-49
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
20 2007.11[民96.11]
- 頁 次:
頁51-65